1）1997年EUV LLC聯盟成立，ASML成功入局。 EUV技術起源於英特爾和美國政府牽頭成立EUV LLC聯盟。 該聯盟匯聚了美國頂尖的研究資源和芯片巨頭，包括勞倫斯利弗莫爾實驗室、勞倫斯伯克利實驗室、桑迪亞國家實驗室三大國家實驗室，聯合IBM、AMD、摩托羅拉等科技巨頭，集中數百位頂尖科學家，共同研究EUV光刻技術。 但若美國計劃收緊限制，三星、SK海力士追加投資的計畫將更不明朗，中國政府已正在要求三星電子儘早進行設備投資。
- 最早是使用汞燈產生的紫外光源，再來是深紫外光源（Deep Ultraviolet；DUV），波長可從365奈米縮減到193奈米；最新技術的極紫外光源（Extreme Ultraviolet；EUV），更將波長縮減至13.5奈米。
- 數據顯示，上海微電子在2018年的光刻機出貨量大概在50臺到60臺之間，另外，該公司在中國大陸所佔據的市場份額也已經超過80%。
- 作爲公司內部創新中心，新的Codasip實驗室將支持關鍵應用領域中創新技術的開發和商業應用，覆蓋了安全、功能安全（FuSa）和人工智能/機器學習（AI/ML）等方向。
- 簡單總結就是，芯片上面那些電路，都是化學腐蝕或者用離子束射出來的。
- 此外，還有外媒稱上海微電子將會推出一臺28nm工藝DUV國產光刻機：“中國國產28nm DUV光刻機計劃在今年年底前從上海微電子（SMEE）生產出來。
- 摘要：而根據國外媒體verdict最新的報道稱，“中國國產28nm DUV光刻機計劃在今年年底前從上海微電子（SMEE）生產出來，並在上海專有的生產線上爲物聯網設備製造48nm和28nm芯片。
隨着，我國在光刻機領域的深入研究，必定有更多的研究成果，同時，我國在碳基芯片領域也有所突破，有望代替現在的硅基芯片。 但眼下已進入2022年，尚未見上海微電子發佈“28nm光刻機”。 目前，28nm製程雖然已不是手機處理器的最優選擇，但是在物聯網等衆多市場，28nm仍然是主流製程工藝節點，不少晶圓廠基於28nm推出了在成本、功耗、性能等方面更具優勢的工藝。 而且在實際應用裏，28nm光刻機並不是僅能用來生產28nm芯片，經多重曝光後可生產14nm/10nm/7nm芯片，這與主流芯片的差距並不算大。
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比如PC方面依賴於美國的AMD、英特爾，手機方面依賴於高通等。 2.長春國科精密：2018年通過了面向90nm節點的NA 0.75級投影光刻曝光光學系統驗收，目前正向28納米節點的光學系統攻關，當時預計2021年可以取得突破，現在也沒有什麼最新消息。 此外，哈爾濱工業大學已經研製出12瓦DPP-EUV光源，長春光機基於哈工大的光源繼續研究EUV曝光機，但距離EUV的250瓦光源仍有很長的路要走。
據上海微電子官網介紹，其主要生產 SSA600 和 SSA500 兩個系列的光刻機。 中國現代國際關係研究院美國研究所研究員程宏亮27日對《環球時報》記者表示，美國近來一直向荷蘭和日本施壓，要求其配合對華出口管制。 日本首相岸田文雄訪美時，雙方就將“保護”和維護它們在半導體等關鍵和新興技術的地位寫入美日聯合聲明。 上海微電子 duv 荷蘭首相訪問美國時，當時並未完全答應美國的要求，於是美國一直在向荷蘭施壓。 從這個角度來看，美國的做法就是試圖用國際競爭思維去主導國家間正常的產業合作以及科技競爭。
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瞭解機器感知：激光雷達、3D視覺和地理空間AI隨着人工智能和物理世界的交叉，以及自主技術採用的增加，有人可能會提出質疑，機器及其目前脆弱的模型如何能以人類的方式感知世界。 上海微電子 duv2025 藉助於諸如激光雷達、雷達和攝像頭等自動駕駛汽車上所使用的傳感器技術，機器已開始能收集實時數據來爲決策提供信息，並適應現實世界的場景。 Codasip宣佈成立Codasip實驗室，以加速行業前沿技術的開Codasip今日宣佈成立Codasip實驗室（Codasip Labs）。 作爲公司內部創新中心，新的Codasip實驗室將支持關鍵應用領域中創新技術的開發和商業應用，覆蓋了安全、功能安全（FuSa）和人工智能/機器學習（AI/ML）等方向。
- 再下一代的高數值孔徑EUV光刻機也在研發中，預計2025年開始大規模應用於2nm甚至以下先進製程的生產。
- 6、特斯拉上海工廠推遲復工，產能損失約 1.5 萬輛 據新浪科技報道，特斯拉進一步推遲上海工廠復工，將不會在4月2日恢復生產。
- 只是一個相對是宏觀的(先進封裝) ，一個是相對微觀的(先進製成)。
- 在雙工件臺方面，資料顯示，2016年由清華大學（主要依託華卓精科）承擔的02專項“光刻”雙工件臺系統樣機研發”項目通過了內部驗收。
- 數據中心SSD的未來需求數據中心基礎設施支出的增加包括對服務器和存儲需求的增加，存儲需求其中一大部分是企業級固態硬盤的需求。
- 根據統計，截至 2020 年底，成熟製程產品就佔整個系統半導體市場銷售金額 73%。
華爲算是吸納優秀學校畢業生比較多的公司，在與其合作的時候，雖然經常被壓迫，苦惱華爲嚴密的信息保護的繁瑣流程，但是與其研發人員溝通交流之順暢，讓人愉悅。 據上海微電子官微介紹，先進封裝光刻機是公司目前的主打產品，且已實現量產供應，目前在大陸國內封裝光刻機市佔率達80%，海外市佔率達40%。 2）英特爾入股ASML疊加ASML併購加速，美國加速實現對ASML的資本和技術雙控制。 隨着ASML在DUV時代取得成功以及摩爾定律的逐漸放緩，美國計劃後續用出資入股和技術滲透的形式牢牢把控ASML的後續EUV技術。
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至於通夠用於7nm及以下工藝的EUV光刻機,只有ASML能生產,並不能賣給中國大陸廠商。 目前國內的芯片製造企業們,使用的光刻機絕大部分是ASML進口,還有部分是從佳能進口的。 上海微電子希望2023年生產出足以用於20nm節點的微影機。 其新微影機將使用日本製造的一些零組件，但不使用任何美國零組件。 上海微電子 duv2025 上海微電子SSA600/200爲沉浸式深紫外光微影機，配備193nm氟化氬鐳射。 SSA600/200的後繼機型將繼續使用ArF光源，可使用28nm製造製造芯片，且能用於40nm及55nm/65nm製程。
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如果彭博社的最新報道屬實的話，那麼預計荷蘭將在限制ASML向中國出口EUV（極紫外光）光刻機的基礎上，再度限制部分浸沒式光刻機（屬於DUV光刻機）的出口，該設備對製造尖端芯片至關重要。 富士康表示，該項目是富士康科技集團首座晶圓級封測廠，通過導入全自動化搬運、智慧化生產與電子分析等高端系統，打造業界前沿的工業4.0 智能型無人化燈塔工廠，預計達產後月封測晶圓晶片約3 萬片。 12月6日消息，近日有中國臺灣地區的報道稱，11月26日在青島正式投產的富士康集團首座晶圓級封測廠，引進多達46臺上海微電子生產的28nm光刻機，並同時稱這意味着大陸生產的光刻機實現從90nm到28nm的跨越。
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隨着先進製程的進一步推進，全球半導體制造龍頭臺積電、三星、英特爾紛紛擴大EUV光刻機資本開支，積極擴充7nm以下先進產能。 另外，存儲龍頭三星、海力士、美光也隨着它們存儲器製程的進步而加碼擴大EUV光刻機的資本開支。 同時，EUV相較DUV簡化了光刻流程的複雜性，使客戶能夠提高成本效益。 我們認爲，掌握EUV技術，就是掌握未來半導體先進製程的發展方向和制高點。
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此次可能會禁運的是浸沒式193nm光刻機，目前全球僅有ASML和尼康兩家公司生產。 根據此前資料顯示，11月26日上午，富士康半導體高端封測項目投產儀式在青島西海岸新區舉行。 伴隨着首條晶圓級封裝測試生產線順利啓動，項目正式進入生產運營階段。 就是這樣一款爆火的軟件，刺激了多家公司爭相入局，其中就包括百度、谷歌、微軟等科技巨頭。 文章分析，雖然中國相關公司被列入UVL影響不如「實體清單」那麼大，但這確實會對某些中國實體如上海微電子的供應鏈穩定性造成波動。
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至此，美國已在技術和資本層面滲入ASML，並逐步掌控ASML EUV光刻機的產能和發展方向。 美國政府擔心尖端技術落入外國公司，所以反對尼康的加入，而ASML做出在美國建立工廠和研發基地等多項讓步後才成功加入EUV聯盟。 上海微電子 duv2025 隨後，ASML在2007年收購美國Brion，獲取了光刻技術後，成功開啓併購美國光刻企業之路。
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有了全國產化的28nm光刻機，就可以滿足中國整個半導體產業大部分需求，中國半導體產業的安全就能大大提升。 觀察者網注意到，中國光刻機生產商上海微電子（Shanghai Micro Electronics Equipment（Group） Co． 上海微電子 duv 上海微電子 duv 而就在昨天，上海微電子剛剛舉行首臺2.5D/3D先進封裝光刻機發運儀式，這意味着中國首臺2.5D/3D先進封裝光刻機正式交付客戶，引發中國社交媒體一片熱議。 韓媒《BusinessKorea》報導，一旦限制實施，三星電子、SK海力士在中國的晶片工廠可能會受到影響。 目前，三星電子在中國西安有2家工廠生產第6代3D V-NAND產品；SK海力士在中國無錫亦有2家工廠生產10奈米DRAM。
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DUV已經能滿足絕大多數需求：覆蓋7nm及以上製程需求。 EUV的光源波長爲13.5nm，但最先進DUV的光源波只有193nm，較長的波長使DUV無法實現更高的分辨率，因此DUV只能用於製造7nm及以上製程的芯片。 然而，隨着先進製程向5nm及以下先進製程進化，EUV成爲了剛需。
此外，工研院產業科技國際策略發展所研究總監楊瑞臨（Ray Yang） 也指出，中芯國際使用 DUV 製造 7奈米芯片的良率非常低，也不具成本優勢。 他表示，由於華為遭美國制裁而無法找外國代工廠，中國嚴重依賴中芯生產急需的芯片，但可能主要是用於「非商業性的特殊用途」。 而在準激光源方面，科益虹源主要研發248nm準分子激光器、乾式193nm準分子激光器、侵沒式193nm準分子激光器；福晶科技研發KBBF晶體(用於激光設備的上游關鍵零部件)；中科院研發40瓦乾式準激光光源。
談到這裏，就不得不說一下在芯片自主方面，除光刻機外的另一個重大短板：EDA（Electronic Design Automation）軟件問題。 而作爲對比，臺積電南京廠的28nm產線在擴產後，月產能是4萬片。 上海微電子 duv 作爲先進製程門檻的14nm，由於良品率的問題尚未得到根本性突破，所以截止2020年末，月產能一直徘徊在2000～3000片之間。 而“02專項”的根本目的，就是立足於28nm這個不上不下的節點，實現28nm以及以下製程的完全自主化。
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當前，隨着半導體器件製程工藝逐步逼近其物理極限，“摩爾定律”實際上已經失效。 所以在可以預計的未來，只要掌握了28nm製程技術，就意味着可以解決除少數核心處理器外，絕大多數常規中低端部件的生產和製造。 在全部十六個專項中，除去三個涉及國防的保密項外，力爭關鍵“電子器件、芯片製造和相關軟件產品”自主的系列專項位列榜首，是之爲“01專項”，即所謂的建立完全自主的“核高基”體系。 在十五年前的2006年，全國人大通過了名爲《國家科技重大專項（2006－2020）》的系列國家主導重大工程決議。 計劃由國家力量來主導，以2020年爲節點，推進被歸納爲十六個大項的重大戰略產品、關鍵共性技術和重大工程系列。
華卓精科的招股書顯示，華卓精科還對雙工件臺技術進一步進行縱向延伸，突破了當前業內先進的六自由度磁浮微動臺技術，實現了對微動臺高階柔性模態的抑制，使其運動精度優於2nm，大大提高了雙工件臺的分辨率。 但是浸沒液體相比於傳統氣體介質具有較高粘度，粘性力的增強，使得壓力驅動下浸沒液體對投影物鏡的作用力將變得越來越不可忽視。 在光源波長及k1不變的情況下，要想提升分辨率，則需要提升n或者sinθ值。 由於sinθ與鏡頭有關，提升需要很大的成本，目前sinθ已經提升到0.93，已很難再提升，而且其不可能大於1。 而ASML先進的EUV光刻機則擁有超過10萬個零件，涉及到上游5000多家供應商。 這些零部件極爲複雜，對誤差和穩定性的要求極高，並且這些零件幾乎都是定製的，90%零件都採用的是世界上最先進技術，85%的零部件是和供應鏈共同研發，甚至一些接口都要工程師用高精度機械進行打磨，尺寸調整次數更可能高達百萬次以上。
上海微電子 duv: 上海微電子能在2025年前攻克7nm光刻機嗎？
截至今年上半年，面對全球性芯片短缺這一難得的賺錢良機，中芯國際竭盡其所能，全部28nm產線的月產能也僅僅是勉強達到了1萬片（12英寸晶圓，下同）。 世界盃接連爆冷VAR技術引關注，電子競技領域也將擁抱AI隨着2022卡塔爾世界盃的連續爆冷，觀衆對其VAR（視頻助理裁判）的熱議甚囂塵上。 除了傳統競技領域中引進了先進技術的支持，另一個正在崛起的電子競技領域也將擁有高科技電子裁判。 實現物聯網部署可擴展性時的主要問題爲什麼三分之二的物聯網項目都失敗了？
但是，造光刻機並不是一件簡單的事情，系統集成只是一方面，更爲關鍵的是，其中需要用到非常多的關鍵器件，而這並不是一家或幾家廠商就能搞定的。 而在今年的6月，網上又再度傳出上海微電子的“28nm光刻機”將在2021年年底交付的傳聞。 可惜，截至到目前爲止，仍未有確鑿的消息顯示，上海微電子的“28nm光刻機”能夠在年底交付。 上海微電子 duv 近日，網上有傳聞稱，上海微電子的“28nm光刻”（傳聞型號爲SSA800/10W）機沒有通過02專項的國家驗收，無法在2021年底完成，28nm光刻機卡住了“02專項”。 而國產最強的光刻機是上海微電子生產的 SSX600,最高的精度還處在90nm,即90nm以下的芯片製造,就必須要進口光刻機了。 特別是高端一點的光刻機,比如193nm ArF浸潤式光刻機,可用於14nm,就只能從ASML進口。
作用在物鏡表面的應力如果過大將使物鏡產生變形和位移，並引起雙折射與光路失真，如缺乏有效控制，將造成曝光成像的缺陷。 目前國內在NA1.35浸潤式物鏡系統的研發上進展如何尚不清楚。 因此ASML的善意，對大陸要建立完整半導體產業鏈，恐是短多長空。 光刻機突破的話，還是要看中科院以及一些其他科研機構，其次看這些科研企業，但是上海微電子本身是沒啥指望了。
此時ASML以成熟穩定的技術和產品，一定可以拿到中國客戶的大量訂單，對國產光刻機造成巨大市場壓力。 原本預期2021年年底交付的上海微電子28nm光刻機，並沒有如期通過驗收的消息，顯然這說明還或多或少存在一些障礙。 中芯國際已決定到 2023 年前，斥資 110 億美元擴大深圳上海 DUV 生產線。 媒體報導，中國半導體企業使用 ASML 的 DUV 設備者約 1,000 件。 為了滿足需求，中國半導體企業正加緊從日本半導體設備企業購買二手設備。
上海微電子 duv: 消息稱上海微電子有望2021年Q4推出DUV設備
現階段因確認 DUV 設備排除於美國政府禁令外，中芯國際決定增加進口 DUV 曝光設備。 ASML 有 30% 營收來自中國，大部分就是販售 DUV 設備給中芯國際。 中國本土最大晶圓代工廠中芯國際近日決定，將荷蘭半導體設備廠艾司摩爾 合約延長至 2022 年，並增加 DUV 設備進口。
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2021全年，ASML向中國市場的光刻機交付大概也在四、五十臺。 而上海微電子率先推出封裝光刻機，也是為瞭順應市場的需求，此前就算是封裝測試的光刻機，我們都要從海外高價購入二手設備，這也導致瞭產能以及相關性能上有所落後，國產的光刻機在正式面世之後，可以很好的幫助到自主化供應鏈解決封裝測試的問題。 面對光刻機遲遲不能發貨，我們也隻剩下一條路可以走，那就是走技術自主研發的道路，面對歐美國傢的技術限制，導致瞭華為的麒麟芯片停產，中芯國際訂購的EUV光刻機，至今也沒有傳出任何出貨的消息，這也直接阻礙瞭國內先進製程工藝的發展。 除「芯片法案」鼓勵企業在美設廠外，並限制獲得美國政府補助的企業在10年內不得於中國建造新廠或是擴充低於28奈米的先進製程。 然而，今年7月上旬，有知情人士向媒體透露，美國正在施壓荷蘭，要求 ASML停止向中國出售DUV。 這意味著美國政府正把對中國光刻機的禁售範圍從先進製程的極紫外線光刻機（EUV）擴大到普遍使用的DUV。
實際上，上海微電子也在這份清單中，但由於該公司不是上市公司，並未引起太多注意。 目前對於國產光刻機的研發，我們已經加快瞭腳步，目前已經取得瞭眾多的技術突破，目前由華卓精研發的光刻機雙工件臺技術，已經被上海微電子運用於國產光刻機的研發當中瞭，上海微電子在整機集成技術上，也已經取得瞭非常不錯的成績。 資料顯示，僅2021年，中國的企業就向全球最大的光刻機生產企業、荷蘭的阿斯麥公司購買了81臺DUV光刻機，而2022年一季度，ASML銷售的62臺光刻機中，DUV佔了59臺，其中22臺是賣給了中國。